Kuriamos magnetinės atminties mikroschemos

Ketvirtadienį bendrovės IBM ir “Infineon Technologies” paskelbė susitarusios kartu kurti naują atminties technologiją, kuri gerokai padidins nešiojamų įrenginių baterijos budėjimo laiką. Jos bendradarbiaus tobulindamos MRAM (“Magnetic Random Access Memory”) atminties technologiją, kuri duomenų saugojimui naudoja ne elektroninius, bet magnetinius krūvius.

Kaip bendrame pranešime paskelbė abi bendrovės, MRAM pagerins elektroninių įtaisų, tokių kaip nešiojami kompiuteriai ar mobilieji telefonai, darbą. Naujos technologijos pagalba galima išsaugoti daugiau informacijos, paskui greičiau prie jos prieiti, sunaudojant mažiau energijos, nei naudoja šiandieninė elektroninė atmintis.

MRAM taip pat išlaiko informaciją išjungus maitinimą. Vadinasi naudotis kompiuteriu bus galima naudotis iškarto jį įjungus ir nereikės laukti kol pasikraus reikiamos programos. Prekyboje MRAM turėtų pasirodyti iki 2004 metų.

Pasak abiejų gamintojų, naujoji technologija savyje suderina geriausias šiandienos atminties tipų savybes – SRAM (static RAM) spartą, DRAM (dynamic RAM) talpumą ir mažą kainą, bei “Flash” tipo atminties stabilumą.

Kadangi MRAM, palyginus su kitomis RAM rūšimis, naudoja mažai energijos saugodama duomenis, ji prailgins mobiliųjų telefonų, nešiojamų ir kišeninių kompiuterių, bei kitokių akumuliatoriaus maitinamų įtaisų darbo trukmę.