Dvigubo pralaidumo tranzistorių struktūra leidžia du kartus padidinti pro tranzistorių pereinančios elektros srovės kiekį. „Fin Field Effect Transistor“ (FinFET) dizainas išsiskiria tuo, kad ant tranzistoriaus yra plona vertikali silicio briauna, padedanti kontroliuoti elektros srovės tekėjimą. FinFET technologija leis sukurti spartesnius, o tuo pat metu mažesnius lustus.
Pasak AMD viceprezidento technologijos vystymo klausimais Craigo Sanderio, šiuo metu puslaidininkių pramonės bendrovės deda milžiniškas pastangas, kad būtų sukurti mažesni, bei spartesni mikroprocesoriai. FinFET tranzistoriai buvo sukurti bendradarbiaujant su Kalifornijos Berkeley universitetu. Tyrimą rėmė Puslaidininkių tyrimo korporacija („Semiconductor Research Corporation“, SRC).
Apie galimą lustų su naujaisiais tranzistoriais gamybos pradžią pranešta nebuvo.