aA
Kompanijos AMD specialistai tvirtina naudodami standartines technologijas sukūrę mažiausią iki šiol kada nors pagamintą dvigubo pralaidumo tranzistorių. Dešimties nanometrų dydžio tranzistorius yra šešis kartus mažesnis, nei visi kiti šiuo metu gaminami tranzistoriai.
Pasak bendrovės pranešimo, naujasis tranzistorių dizainas leis tokio pat dydžio luste sutalpinti ne 100 milijonų, o milijardą tranzistorių. Tranzistoriai sudaro grandines mikroprocesoriuose.

Dvigubo pralaidumo tranzistorių struktūra leidžia du kartus padidinti pro tranzistorių pereinančios elektros srovės kiekį. „Fin Field Effect Transistor“ (FinFET) dizainas išsiskiria tuo, kad ant tranzistoriaus yra plona vertikali silicio briauna, padedanti kontroliuoti elektros srovės tekėjimą. FinFET technologija leis sukurti spartesnius, o tuo pat metu mažesnius lustus.

Pasak AMD viceprezidento technologijos vystymo klausimais Craigo Sanderio, šiuo metu puslaidininkių pramonės bendrovės deda milžiniškas pastangas, kad būtų sukurti mažesni, bei spartesni mikroprocesoriai. FinFET tranzistoriai buvo sukurti bendradarbiaujant su Kalifornijos Berkeley universitetu. Tyrimą rėmė Puslaidininkių tyrimo korporacija („Semiconductor Research Corporation“, SRC).

Apie galimą lustų su naujaisiais tranzistoriais gamybos pradžią pranešta nebuvo.

www.DELFI.lt
Griežtai draudžiama Delfi paskelbtą informaciją panaudoti kitose interneto svetainėse, žiniasklaidos priemonėse ar kitur arba platinti mūsų medžiagą kuriuo nors pavidalu be sutikimo, o jei sutikimas gautas, būtina nurodyti Delfi kaip šaltinį.