GaN - tai puslaidininkis su didele apribota zona, kuri yra pagrindas visiems šviesos ir lazerio diodams, spinduliuojantiems ultravioletiniame diapazone. Nanovamzdelių struktūros spinduliuoja gana silpnai, tačiau panaudojus šiuolaikines nanotechnologijas pavyko užfiksuoti spinduliavimą tiek iš GaN nanovamzdelių, tiek iš šios medžiagos plokštelių.
Lazerio spindulio indukcijai reikalingas optinis krūvis, kurį suteikia optinio impulsinio parametrinio stiprintuvo ketvirtoji harmonika. Veikiant stiprintuvui, nanovamzdelyje formuojasi “plazma” iš skylių ir elektronų, kuriai persigrupavus apribotoje zonoje indukuojasi 360-400 nm ilgio bangos ultravioletinis spinduliavimas. Taigi nanovamzdelis yra ir Fabri-Pero įduba, ir aplinka, kurioje vyksta spinduliavimo sustiprinimas. Vamzdelio galai veikia kaip veidrodžiai, kurie būtini generuojant spinduliavimą.
Naujųjų lazerių charakteristikas tyrinėti tenka mikroskopu. P.Yango žodžiais, padidėjęs paviršių ties vamzdelio galais ryškumas liudija, jog nanovamzdelis turi geras bangų laidumo savybes. Augant lazerio generuojamai energijai pastebimas spektro slinkimasis į raudonąją pusę.
