„Intel“ ir „Micron“ jau seniai bendradarbiauja kurdami efektyvius kaupiklius. Šie partneriai pranešė apie naujos klasės atminties „3D xpoint“ kūrimo pabaigą. Kūrėjai teigia, kad tai yra pirmas didelis proveržis nuo 1989 metų, kai atsirado NAND atmintis.
Nauja technologija leidžia pagaminti iki 1000 kartų spartesnius kaupiklius, kurių greitis yra matuojamas dešimtimis nanosekundžių, o ne mikrosekundžių, kaip NAND. Įrenginių ištvermė taip pat padidėja iki 1000 kartų, o atminties tankis – iki 10 kartų, lyginant su dabartiniais analogais.
Naujo tipo atmintis sujungia geriausius NAND ir DRAM pasiekimus – greitį, energetinę nepriklausomybę ir nedidelę kainą. Kompaktiškas atminties sekcijų išdėstymas lemia mažą „3D XPoint“ savikainą, bet svarbiausia yra tai, kad pirmieji, šią technologiją naudojančių gaminių egzemplioriai rinkoje pasirodys 2016 m.
Bendrovė teigia, kad šiandien kompiuterių procesorių skaičiavimo galia „atsiremia“ į informacijos nuskaitymo greitį, todėl būtina padidinti kaupiklių spartą. Nuolat augant informacijos, kuri turi būti saugoma ir apdorojama, kiekiui, taip pat daiktų interneto vystymasis reikalauja spartesnio duomenų perdavimo. Išradėjai yra įsitikinę, kad naujiena pastebimai paskatins technologinę pažangą.
Šio sprendimo teikiamą naudą pajus ir eiliniai vartotojai, kada plačiai paplis 8K raiškos ir virtualios realybės turinys, kuriam reikalinga didelė duomenų perdavimo sparta.
